|Z| Probe® Power

|Z| Probe® Power 概述

人们希望能在世界任何地方访问丰富的信息内容，这种需求推动了无线信息传输的发展。这增加了对无线系统中的 RF 功率器件以及 GaN 和 SiC 等新技术的需要。这反过来又使在晶圆级上对这些新技术进行特性分析成为必要，从而显著缩减开发新模型所需的时间。这些模型在新器件的设计中使用，然后在无线传输系统（基站、卫星等）中进一步地实施推广，以满足消费者对于信息内容迫不及待的渴求。

为了在晶圆级上提供 RF 功率器件高度准确的特性分析，基于经验证的 |Z| 探针技术的 |Z| Probe® Power 在高频率（高达 40 GHz）条件下处理高功率。|Z| Probe Power 提供了卓越的接触重复精度和极低的接触电阻，以在负载牵引测量设置（此类设置在对 RF 功率器件进行特性分析时是很常见的）中提供准确的结果。

由于在负载牵引和噪声参数测量中必须保持很低的插入损耗，以确保高反射系数 (Γ)，因此 |Z| Probe Power 专为提供极低的插入损耗而设计。这意味着可获得更准确的测量值，尤其是在非 50 Ω 阻抗条件下。